第三代半導體或成政策發力點 華為等巨頭布局

摘要：第三代半導體以氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等寬帶半導體原料為主,更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。目前,第三大半導體材料市場呈現出美日歐玩家領先的格局。相比之下,中國的第三代半導體產業稍顯貧弱,在技術領先度、市場份額占比等方面較落后。

關鍵詞：半導體材料硒化鋅氮化鎵市場份額耐高壓第三代半導體發力點美日歐

分類號： F42[經濟管理—產業經濟]