漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

作者：Tae Yeon Oh

摘要：從20nm技術節點開始,漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常,DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。

發文機構：泛林集團

關鍵詞：DRAM寄生電容漏電流故障識別結構異常動態隨機存取存儲器器件設計考慮因素

分類號： TP3[自動化與計算機技術—計算機科學與技術]